三星电子于2026年10月29日公布的第三季度财报电话会议信息显示，其高带宽内存HBM全球市场份额已提升至约百分之四十，与DRAM业务当前的全球市占率持平。该目标原定于下半年达成，实际提前至第三季度完成。
推动这一份额跃升的关键，在于HBM4在技术架构层面实现的代际突破。三星未沿用前代成熟设计，转而全面采用第六代10纳米级DRAM工艺（1c）及4纳米逻辑基底裸片。此举系HBM产品首次将逻辑芯片制程推进至4纳米节点，大幅强化了基底芯片的运算处理能力与高速接口性能。
性能方面，HBM4单引脚数据传输速率稳定达到11.7Gbps，超出JEDEC标准8Gbps约百分之四十六；其上限可扩展至13Gbps，相较HBM3E的9.6Gbps提升约百分之二十二。单堆栈总带宽最高达3.3TB/s，为HBM3E的2.7倍。在堆叠结构上，12层方案支持单堆栈容量24GB至36GB；16层堆叠版本后续将实现单堆栈48GB容量。
能效与散热表现同步优化。尽管引脚数量由1024增至2048，带来更高功耗压力，但通过低电压硅通孔技术与供电网络重构，HBM4整体能效较HBM3E提升百分之四十，热阻降低百分之十，散热能力提升百分之三十。
技术领先正加速转化为供应链优势。三星目前已与十家大型客户签署多年期存储长期供应协议，另有十家主要客户处于协议磋商阶段，其中部分接近最终签约。公司计划至2030年，将长期供应协议覆盖的产能比例提升至百分之六十至百分之七十。2027年度HBM供应量亦已完成目标价格谈判，实际供货已全部锁定。
面向下一代演进，HBM4E研发进展明确：第七代产品已向客户交付12层结构样品，单堆栈容量达48GB，引脚速率达14Gbps起，最高可扩展至16Gbps，单堆栈带宽峰值为3.6TB/s，能效较HBM4再提升百分之十六，量产计划定于2027年上半年启动。
文章来源：三星HBM4市占率达40%：12层堆叠、11.7Gbps速率与4nm基底技术领先全球https://news.zol.com.cn/1266/12664267.html
